在非易失性存储器（NVM）中，闪存是事实上的标准，随着行业不断向更先进的节点扩展，对更先进技术的需求变得紧迫。闪存的局限性越来越明显，尤其是对于大多数应用来说，将闪存嵌入28nm以上的SoC在经济上是不可行的。

新兴的存储器技术，如电阻RAM（ReRAM）、相变存储器（PCM）、磁阻RAM（MRAM）和铁电RAM（FRAM），为浮栅存储器器件提供了一种替代方案，并且可以更容易地扩展到高级几何结构。这些技术在成本、复杂性、功率、性能和其他关键因素方面各有优缺点。提供最佳平衡的技术是ReRAM，它正在成为替代闪存的领先候选者，用于广泛的应用。

ReRAM技术将在未来12个月内开始进入市场。这项技术是广泛应用的理想NVM，但由于ReRAM的推出（将以相当低的密度开始），以及终端市场的趋势，如新兴应用的成本驱动因素、性能和功率目标以及认证要求，采用的时间表各不相同。

在这里，我们将讨论一些我们认为ReRAM将首先获得吸引力的应用程序，以及我们目前对每个应用程序的时间表的想法。

未来1年多：电源管理集成电路的雷拉姆

ReRAM将首先立足于电源管理IC（PMIC）和其他模拟/混合信号设计。每个电子设备至少有一个PMIC，用于管理系统内的电力分配。可编程PMIC的市场需求正在增加，以支持无线充电和智能电机控制器的普及等趋势。这些设备的PMIC必须是智能的，并且能够运行多种算法，因此它们需要低功耗、可编程和可现场升级的微控制器（MCU）和NVM。

今天的解决方案通常基于一个单独的MCU芯片，其NVM与PMIC并列。然而，为了降低成本和功率，有一种趋势是将PMIC、MCU和NVM集成在更先进的几何形状的单个管芯上。在130nm以下，嵌入式闪存对于这些应用来说开始过于昂贵，并且也很难集成。这在很大程度上是因为闪存集成在前端线（FEOL），因此公司通常必须在电源/模拟组件上做出妥协，以在同一晶片上容纳闪存。这可能导致性能下降、尺寸增大和成本上升。

ReRAM是一种后端线（BEOL）技术（图1），因此它可以用于一个几何体，并且它将与该节点的所有不同变体一起工作，而flash需要适应每个变体。此外，与闪存ReRAM所需的约10个额外掩模相比，仅使用两个掩模加法器具有成本效益，这是大多数IC的明显要求。